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IPP086N10N3G中文资料

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  • 描述:IPP086N10N3 G IPI086N10N3 G IPB083N10N3 G IPD082N10N3 G OptiMOS ? 3 Power-Transistor Features ? N-channel, normal level ? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) ? Very low on-resistance R DS(on) ? 175 °C operating temperature ? Pb-free lead plating; RoHS compliant ? Qualified according to JEDEC 1) for target application ? Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ? Halogen-free according to IEC61249-2-21 * Maximum ratings, at T j =25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Unit Continuous drain current I D T C =25 °C 2) 80 A T C =100 °C 58 Pulsed drain current 2) I D,pulse T C =25 °C 320 Avalanche energy, single pulse E AS I D =73 A, R GS =25 ? 110 mJ Gate source voltage V GS ±20 V Power dissipation P tot T C =25 °C 125 W Operating and storage temperature T j , T stg -55 ... 175 °C IEC climatic category; DIN IEC 68-1 55/175/56 * Excep D-PAK ( TO-252-3 ) Value 1) J-STD20 and JESD22 2) See figure 3 V DS 100 V R DS(on),max (TO

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更新时间:2023-01-01 17:54:35
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